A módszer alapja az a jelenség, hogy ha egy szilárdtest felületét 1-10 keV energiájú nehéz részecskékkel (ionokkal esetleg atomokkal) bombázzuk, akkor a felületből pozitívan és negatívan töltött atomok és atom csoportok (cluster) lépnek ki. Az így kilépő szekunder ionokat különböző típusú tömegspektrométerkkel szét lehet választani. A módszer neve is innen adódik: Secondary Ion Mass Spectroscopy - SIMS. A módszer elvi vázlata a 6.18. ábrán látható.

Az első tömegspektrométerrel kombinált porlasztó ionforrást Herzog és Viehböck [6.7.] 1949-ben írta le. Csaknem 10 évvel később készültek el az első komplett szekunder ion tömegspektrométerek (Honig [6.8.]). A módszer gyakorlati, rutinszerű felhasználása a 60-as évek közepétől kezdődött (Bradley [6.9.], Beske [6.10.] és Werner [6.11.]).

A szekunder ionok a bombázott felület legfelső atomi rétegéből származnak. Így a szekunder-ion tömeg-spektroszkópia legfontosabb tulajdonsága a nagy felületi érzékenysége.

Egy adott Z rendszámú elem A tömegszámú izotópjának q töltésszámú szekunder ionjainak áramát, I_s,Z,A/q- t a következő összefüggés adja meg:

ahol I_p a primer-ion áramerőssége amperben mérve, S a porlasztási hatásfok atom/ion egységben,
az adott ionfajta ionizációs valószínűsége ion/atom egységben, aZ, A megadja, hogy a Z rendszámú elem mennyiségének hányad része az A tömegszámú izotóp, c_Z a vizsgált elem koncentrációja atomtörtben (0< c_Z < l),  a berendezés transzmissziós együtthatója (a kiporlódott szekunder ionok hányad része kerül detektálásra). Amennyiben I_s,Z,A/q - t nem amperben, hanem cps-ben (beütésszám/s) mérjük, akkor  az átszámítási faktort is tartalmazza és dimenziója cps/A.

A SIMS vizsgálatok folyamán a közvetlenül mért mennyiség az adott ionfajta szekunder ionárama, az I_s,Z,A/q , és többnyire az I_p primer ionáramot változtathatjuk. Az  transzmissziós együttható egy adott berenderzésre kísérletileg meghatározható (értéke 10^-4 - 10^-2 nagyságrendű). Szintén mérhető a kiporlasztott anyag mennyisége, ugyanis a porlasztáskor keletkezett kráter alakja és mélysége kb. 10 nm pontossággal profilométerrel (Talysurf) mérhető, és ezekből kiszámolható S, melynek tipikus értéke 1-10 atom/ion. Az ionizációs valószínűség, , igen sok paramétertől függ, (pl. a szekunder ion rendszámától, töltésétől, energiájától stb.) és értékét érzékenyen befolyásolják a kísérleti körülmények, illetve ezek megváltozása, úgymint a felület tisztasága, a minta környezetében lévő gáz összetétele, nyomása, a vizsgált minta lokális összetétele, az emisszió helye körüli mikrostruktúra stb. Általában az ionizációs valószínűség 10^-1 - 10^-6 ion/atom között változik. Szokás beszélni ionporlasztási hatásfokról:  (mértékegyságe ion/ion).

Az ionizációs valószínűségnek a nagyfokú érzékenysége a mátrix környezetre megnehezíti a kvantitatív analízist, gyakorlatilag csak jól megválasztott standard minták használatával lehetséges. Ugyanakkor lehetőséget nyújt a kémiai kötésállapotok meghatározására.

Napjainkra a SIMS módszer következő alkalmazási területei alakultak ki:

Felületanalízis: Felületek, határfelületek, vékonyrétegek analízise igen kis primer ion áramsűrűségekkel. Ezt a módszert statikus SIMS-nek (SSIMS) nevezik. A bombázott felületből emittált szekunder ionok m/e (tömeg/töltés) spektruma közvetlen információt ad a bombázott felület kémiai összetételéről. A 6.19. ábrán bemutatunk egy vanádium minta felületéről nyert pozitív és negatív szekunder ion spektrumot.

A 6.19.a. ábrán megjelennek a target egyatomos ionjai (⁵¹V⁺) és molekuláris (cluster) ionjai
(⁵²VH⁺, ⁶⁷VO⁺), valamint a mintában kis mennyiségben jelenlévő elektropozitív elemek ionjai (²³Na⁺,³⁹K⁺). Fontos megjegyeznünk, hogy a ¹H⁺ ionokat is detektáljuk, ami egyedülálló lehetősége a SIMS módszernek. Az elektronegatív elemek ionjai a negatív szekunder ion spektrumon (6.19.b.ábra) jelentkeznek nagyobb intenzitással (¹⁶O^-, ¹⁷OH^-, ³²O₂-, ³⁵Cl^-). Ugyanakkor megtalálhatók kisebb intenzitással az ⁵¹V^-, ⁵²VH^-, ⁶⁷VOH^- iomok is.

Összetétel és kötés állapot felületmenti eloszlásának analízise szekunder ionmikroszkópia, SIIMS (Secondary Ion Imaging Mass Spectrometry).

A 6.20. ábrán CAMECA gyártmányú IMS3F típusu ionmikroszkóppal Al-Mg-Si ötvözetről készült képek láthatók, a 6.20.a. ábrán a ²⁷Al⁺, a 6.20.b. ábrán a ⁴⁰Ca⁺ ionok eloszlása.

Profilanalízis: Mélységi koncentráció profilok, pl. diffúziós profilok felvétele. Az ilyen vizsgálatoknál nagy (A/cm² nagyságrendű) primer ion áramsűrűséggel rétegről rétegre leporlasztjuk a minta felületét az analízis során. A módszer neve dinamikus SIMS (DSIMS).

 6.21.ábra

A 6.21. ábrán Si egykristály mintába implantált B mélységi koncentráció profilját mutatjuk be. (A felvétel a BME Atomfizika Tanszéken működő Balzers gyártmányú SIMS berendezésen készült reaktív porlasztás alkalmazásával.)

Az elmúlt évek során a felsorolt felhasználási területek szükségleteinek megfelelően különböző típusú SIMS készülékeket fejlesztettek ki és forgalmaztak, melyek elsősorban különböző fajta primer ion forrást és tömegspektrométert alkalmaznak. A későbbiekben ezt részletesebben ismertetjük.

A SIMS módszert a szekunder ionoknál sokkal nagyobb kihozatalú semleges szekunder részecskék analitikai felhasználására is alkalmassá tették Oechsner és munkatársai [6.12., 6.13.] a minta felületéről kilépő semleges szekunder részecskék utóionizációjával. E módszer neve SNMS (Sputtered Neutral Mass Spectroscopy). Előnye a nagyobb érzékenység mellett a standardok nélküli mennyiségi analízis lehetősége.

A következő táblázatban összefoglalást adunk a fent ismertetett SIMS technikák jellemzőiről:
 

Technika	Információ	Legjobb laterális felbontás	Információs mélység monorétegben	Érzékenység	Mennyiségi analízis
SSIMS	kémiai	1m	2	0.01%
SIIMS	elemi, kémiai	20nm	10	<1p.p.m.	standarddal
DSIMS	elemi, kémiai	50m	10	<1p.p.m.	standarddal
SNMS	elemi	50m	10	<1p.p.m.	egyszerű

6.2.3.1. Elméleti alapok

Ionizációs elméletek

Az ionemisszió bonyolult összetett folyamat. A szilárd testbe becsapódó néhány keV energiájú primer-ion energiáját atomi ütközésekben leadva néhány atomsor mélyen behatol a rácsba. A rácsban sorozatos ütközések, ütközési kaszkádok alakulnak ki, ezek egy része visszafordulva a felületre jut. Ha az ütközési kaszkád által a felületi atomoknak átadott energia elegendő a felületi kötési enrgia legyőzésére, a szilárd testből atomok emittálódnak. E folyamatot ionporlasztásnak nevezik. Az ionizáció úgy történik, hogy a szilárd testből kilépő atomok egy vagy ritkábban több elektronja a szilárd test vezetési sávjában visszamarad, vagy a távozó atom a vezetési sávból egy elektront felvesz. E folyamatban az egyes atomok E_í ionizációs energiájának, a felület elektronkilépési munkájának és az A elktron affinitásnak egyaránt lényeges szerepe van. Az ionizáció után az ionok a felületet v átlagos sebességgel hagyják el. Eközben kismértékben reneutralizáció, illetve a gerjesztett állapot energiájának fotoemisszió kíséretében történő leadása is bekövetkezik. Az ionizáció bekövetkezhet idegen atomok pl. oxigén, alkálifém stb. atomokkal létrejött kémiai kötések felhasadása révén is.

A szekunder ionok ionizációs folyamatának leírására többé-kevésbé erős közelítő feltevésekre építve, több modellt is kidolgoztak. Mindegyikben közös, hogy az elméleti értékek kísérleti eredményekkel való összehasonlításához illesztő paraméterek szükségesek. A szekunder-ion emisszió elméleteit termodinamikai és kvantummechanikai modellekre oszthatjuk fel.

A termodinamikai modellek a szilárd test felülete és a kilépő részecske közötti töltéscserét vagy az ionporlasztás hatására keletkező "magas hőmérsékletű plazmában" található részecskék közötti töltéscserét határozzák meg. Egyes szerzők [6.14., 6.15.] a szekunder ionizációs valószínűséget a termikus ionizáció analógiája alapján határozzák meg. A Saha-Langmuir egyenlet írja le a termikus ionemissziót, ha termodinamikai egyensúly van az emittáló felület és az emittált részecskék között. Mások [6.16., 6.17.] feltételezik, hogy az ionbombázás hatására a szilárd test felületén egy sűrű, magas hőmérsékletű plazma keletkezik. Ebben a plazmában semleges részecskék, pozitívan és negatívan töltött ionok és ioncsoportok, valamint elektronok vannak. Ezek, a feltételezés szerint, egymással termikus egyensúlyban vannak, így alkalmazható a Saha-Eggert egyenlet.

A kvantummechanikai modellek a szekunder-ionok emisszióját az elektronok ionizációs folyamatot kísérő kvantummechanikai átmeneteivel magyarázzák. Weg és Biermann [6.18.], Benninghoven [6.19.] és Joyes [6.20.] modelljeikben az ionok emisszióját illetve az ezt követő neutralizációját Auger folyamatokkal és reneutralizációval értelmezik. Sroubek [6.21.] a molekulapályák felhasadását, Cini [6.22.] kevert állapotokattételez fel kvantummechanikai számításaiban. Blaise [6.23.], Schroeer [6.24.] és Antal [6.25.] modelljeikben semleges részecskék kvantummechanikai elektronátmenetek révén bekövetkező felületi ionizációját tételezik fel.

Általában megállapítható, hogy a szekunder ionizáció mechanizmusára vonatkozó modellek nem alkalmasak a g⁺ pontos meghatározására, azonban nagyságrendi becslések végezhetők velük.

Kvantitatív analízis lehetőségei

Az ionizációs elméletek jelenlegi fejlettségi szintjén kizárólag az empirikus kalibráción alapuló módszerektől várható a SIMS módszer kvantitatívvá tétele.

Az oxigén alkalmazása - akár primer-ionként, akár reaktív porlasztásnál (megemelt oxigén háttérnyomás mellett végzett SIMS mérésnél) - számos elem pozitív ionizációs valószínűségét megnöveli. Ezt gyakran felhasználják rosszul ionizálódó elemek kimutatásánál. Az érzékenységnövelő hatáson túl az ún. reaktív SIMS-nek további előnyei is vannak:

- az oxigén primer-ionok illetve a megemelt oxigén háttérnyomás csökkenti az ionizációs valószínüség koncentráció- ill. mátrixfüggését.

- reaktív porlasztással csökkenthető a mintákban jelen lévő eredeti (és esetleg változó mennyiségű) oxigén ionhozamot befolyásoló hatása. Ennek különösen felületi és határátmeneti rétegek vizsgálatánál van jelentősége.

Egy további lehetőség az implantációval előállított etalon minták alkalmazásán alapul. Az ionimplantáció lehetőséget nyújt szinte tetszőleges elemnek a szilárd test felületi rétegeibe juttatására, a bejuttatott mennyiség koncentrációjának szigorú kézbentartása mellett.

6.2.3.2.Mélységi felbontóképesség koncentráció profilok mérésénél

Az ionporlasztás folyamatát részletesebb vizsgálatnak alávetve kiderül, hogy az információs mélységen kívül számos olyan tényező és folyamat van, amely a mélységi felbontóképességet befolyásolja, korlátozza:

- instrumentális tényezők: a primer ionsugár inhomogenitása, a kráter szélének hatása

- a minta sajátságai: kezdeti felületi érdesség, kristály orientáció, mátrixhatás

- a porlasztás során fellépő folyamatok: preferenciális porlasztás, az atomoknak a minta belseje felé történő elmozdulása, kaszkádkeveredés.

6.2.3.3. Kísérleti technikák

Minden SIMS berendezés a következő egységekből áll:

Vákuumrendszer: Az egész rendszer ultranagy alapvákuumban (10^-6-10^-9 Pa) működik, hogy a szekunder-ionok közé ne keveredhessenek nagy számban egyéb ionizált gázrészecskék, továbbá a primer-ionok közepes szabad úthossza megfelelően nagy legyen, valamint a maradékgáz környezet ne lépjen kölcsönhatásba a mintával.

Mintatartó manipulátor: A mérendő minták vákuumtérbe való elhelyezésére és az ott történő mozgatására szolgál.

Ionforrás: A primer-ionok előállítása a különböző típusú SIMS készülékekben eltérő módon történik. A későbbiekben részletezzük.

Primer-ion optika: A primer-ionok megfelelő energiára (1-15 keV) történő gyorsítását, fókuszálását, pásztázását végzi.

Szekunder-ion optika: Összegyűjti a szekunder-ionokat a minta jól definiált területéről.

Energiaszűrő: Biztosítja, hogy a folytonos energia eloszlású szekunder-ionok közül az adott tömegspektrométerbe csak az optimális működésének megfelelő ionok jussanak.

Tömegspektrométer: Különböző elveken működő tömegspektrométereket alkalmaznak a SIMS készülékekben, melyek érzékenysége, tömeg felbontóképessége valamint a működésük tömegtartománya eltérő. A tömegspektrométer típusa nagymértékben megszabja az adott SIMS berendezés felhasználási körét. Későbbiekben ezt is részletesebben ismertetjük.

Detektor: Legtöbbször pulzusszámlálással működnek. Szintén a SIMS készülék felhasználási körétől függően többféle detektor típust alkalmaznak: channeltron, szekunder elektron multiplier, kétdimenziós ion detektálásnál fluoreszcens ernyő vagy kettős channelplate stb.

Adatgyűjtő és kiértékelő számítógépes rendszer.

6.2.3.4. Ionforrások

Az elektron ütközéses forrásokban izzó katódból kilépő termikus elektronok gázfázisú atomokkal ütközve plazma keletkezése nélkül hozzák létre az ionokat. Így a keletkező ionok száma széles tartományban arányos a gáz nyomásával és az elektron árammal. Ezért e két paraméter változtatásával az ionok árama több mint hat nagyságrendet gyorsan és hiszterézis nélkül változtatható és szabályozható. Általában az izzó katód anyaga volfrám, ezen ionforrások nemesgáz ionok előállítására alkalmasak. Tórium, cirkónium vagy irídium bevonatú katódokkal O₂ és N₂ gázból is lehet előállítani ionokat. Az elektron ütközéses ionforrások tipikus paraméterei:

                ion energia:                                    0.1-5 keV

                nyaláb méret                                 : 0.1-2 mm

               maximális ionáram:                            10^-5 A

               megfelelő foltméret:                             0.8 mm

               minimális nyaláb méret:                        0.1 mm

               megfelelő ionáram:                              800 nA

               ion áramsűrűség a mintánál:                     4 mA/cm²

A plazma ion forrásoknál (duoplazmatron) sűrű plazmát hoznak létre, amiből kis nyíláson elektrosztatikusan húzzák ki az ionokat. Elterjedten használják dinamikus SIMS készülékekben, elsősorban "microprobe" és mikroszkóp rendszerekben, ahol a kis foltméret (2-100 nm) és a nagy áramsűrűség (20-150 mA/cm²) kívánatos. Az ún. forró szálas duoplazmatromokban volfrám vagy tantál szálat használnak katódként. Ezek csak nemesgáz ionok előállítására alkalmasak. A hideg katódos duoplazmatronok használhatók O₂ és O⁺ ionok előállítására is. Az elektron emisszió mechanizmusa ezekben a forrásokban még nem teljesen tisztázott, de az biztos, hogy az ion bombázás által indukált szekunder elektronok eredményezik elsősorban az ionizációt.

A felületi ionizáción alapuló ionforrásokat (gyakorlatilag Cs⁺ források) mélységi profilok porlasztásánál alkalmazzák szekunder ion mikroszkópokban.

Előnyei: A vizsgálat során a felületre jutó cézium nagymértékben növeli elsősorban az elektronegetív elemek (P, As stb.), de még a nemes fémek (Au, Pt) negatív szekunder ion hozamát is. (Hasonló a jelenség mint az, oxigénnek az elektropozitív elemek pozitív ion hozamra gyakorolt hatása.) A foltméret 1nm alá csökkenthető. Cs+ ionágyúval 200 nm folt méret érhető el 15 pA áramerősség és 15 keV ion energia mellett.

A Cs⁺ ionágyúban az ion keltés termikus ionizációval történik. Ha egy adszorbeált atom egyensúlyban van egy fém felülettel, akkor töltéscsere történik a fém vezetési sávjának teteje és az atom vegyérték elektronjának alapállapotú energia szintje között. Ennek a töltéscserének a mértékét a hőmérséklet határozza meg. Az adatomok ionizációja annál nagyobb mértékű, minél kisebb az adatom ionizációs energiája és minél nagyobb a felület kilépési munkája. Ezért adatomként céziumot, fém felületként volfrámot vagy réniumot használnak az ionforrásokban. A gyakorlati megoldásoknál céziumot párologtatnak, amit átvezetnek egy porózus volfrám dugón.

A folyékony fém - ion források működése tér ion - emissziós folyamaton alapszik. Nagy elektromos tér (~10⁸ V/cm) a fém felületi potenciál gátját olyan nagy mértékben módosítja hogy az elektronok alagúteffektussal könnyen keresztül jutnak rajta. A külső tér polaritásától függően elektronok emittálódnak vagy belépnek a szilárd testbe. Az utóbbi esetben a felületi atomok ionizálódnak és deszorbeálódnak. A gyakorlati megvalósításokban volfrám tűt használnak, amit különböző módon az ionizálni kívánt fémmel (legtöbbször Ga, esetleg In vagyAu) borítják. A folyékony fém ion forrásokat az utóbbi években egyre elterjedtebben használják ion "microprobe" és ion mikroszkóp típusú SIMS készülékekben. Ezen forrásokra jellemző a nagyon kis folt méret (20-200 nm) és a nagy áramsűrűség (~1 A/cm²).

Újra semlegesített ion nyaláb: A SIMS vizsgálatoknál nagy gondot jelent a szigetelő minták feltöltődése. Ennek megakadályozására többféle lehetőség van, az egyik leghatékonyabb módszer a FAB (Fast Atom Beam) ágyú alkalmazása. Lényege, hogy a már felgyorsított és fókuszált ionokat egy olyan térrészen vezetik keresztül, ahova viszonylag magas (~10^-1 Pa) nyomású az ionokkal azonos anyagi minőségű gázt vezettek be. Itt a nagy energiájú irányított ionok ütköznek a rendezetlen termikus mozgást végző semleges atomokkal. Az ütközés során az ionok átadják töltésüket az atomoknak, ugyanakkor impulzus átadás nem történik. Ennek eredménye képen nagy energiájú irányított semleges atomok lépnek ki az ágyúból, a visszamaradó kis energiájú rendezetlen mozgást végző ionokat oldal irányban alkalmazott kis térerejű elektrosztatikus térrel távolítják el.

6.2.3.5. Tömegspektrométerek

A kvadrupól tömegspektrométer tisztán elektromos teret alkalmaz, felépítése aránylag egyszerű és viszonylag kis méretű. Négy egymással párhuzamos rúdból áll, melyek közül két-két átlósan szemben lévő galvanikusan össze van kötve. Erre az elektróda rendszerre MHz frekvencia tartományba eső váltófeszültséget (U_AC cosat) és erre szuperponálva egyenfeszültséget (U_DC ) kapcsolnak. Az egyik rúdpár potenciálja U₀=U_DC+U_AC cosat, a másiké -U₀.

A kvadrupól rudak közé beérkező töltött részecskék mozgásegyenletét felírva az un. Mathieu differenciál egyenletekhez jutunk, melyek megoldásával megkaphatók az egyes tömegekhez tartozó stabilitási tartományok (6.22.ábra).

Az egyes tömegekhez tartozó "háromszögek" kijelölik azt az egyen és váltó feszültség (U_DC és U_AC) tartományt, melyeket a fent leírt módon a kvadrupól rudakra kapcsolva az adott tömegű (pontosabban m/e-vel rendelkező) ion átjut a rudak között anélkül, hogy kiszóródna. Az egyes tömegekhez tartozó "fűrészfogak" csúcsi az U_DC/U _AC = 0.16784 egyenesen helyezkednek el. Ennél kisebb meredekségű egyenes mentén változtatva a kvadrupól rudakra adott egyen és váltó feszültséget más-más tömegű ionok jutnak át a rudak között kiszóródás nélkül. Ez az úgynevezett állandó felbontóképességű tömeg pásztázás, az egyenes meredeksége (az U _DC/U_AC arány) szabja meg a tömegfelbontást, m/Dm - et.

A kvadrupóllal vizsgálható felső tömegtartomány a rudak méretétől függően 250-től 1000 atomi tömegegység fölé is terjed, így szerves vegyületek vizsgálatára is alkalmas. Tipikus áteresztőképessége 10^-4 . A kvadrupollal működő SIMS berendezések sokszor előnyben vannak a későbbiekben ismertetett mágneses szektor rendszerekkel szemben, bár transzmissziójuk általában kisebb azokénál, nagyobb a begyűjtési területük és könnyebb a működtetésük. Viszonylag kis méretei és súlya miatt gyakran használják vele egy analízis pontban működő elektron spektroszkópiai technikákkal kiegészítve.

A mágneses térrel működő tömegspektrométerek azt a jól ismert tényt használják ki, hogy homogén mágneses térbe az indukcióra merőlegesen azonos sebességgel belépő különböző tömegű töltött részecskék különböző sugarú körpályán mozognak. A szekunder ionok energia szórása lerontja a mágneses tömegszűrő tömegfelbontását. Ha azonban megfelelő irányú elektromos eltérítést is alkalmazunk a mágneses eltérítés után, ez kompenzálható. Az ilyen tömegszűrőket kettős fókuszálású rendszereknek nevezik.

Tipikus jellemzői a kettős fókuszálású mágneses tömegspektrométerrel működő SIMS berendezéseknek:

                   átmenő energia:                  2-8 keV, mindkét polaritással

                   tömegtartomány:              1200 ate. 8 keV-nél

                   m/Dm:                   300-30000

                   transzmisszió:                   12% m/Dm = 500-nál
 

A repülési idő tömegspektrométer (Time-of-Flight, TOF) elve igen egyszerű. Gyorsítsunk fel töltött részecskéket egy állandó U feszültséggel t = 0 időpillanatban elindítva őket. A gyorsítás végén a különböző tömegű ionok sebessége különböző lesz. Ezután hagyjuk futni az ionokat erőmentes térben adott úthosszon, ezáltal mintegy széthúzva időben a különböző sebességű ionokat. A tömeg információt az indítás és a megérkezés között eltelt idő adja. Az egyszerű mérési elv ellenére számos méréstechnikai nehézséget kell leküzdeni: Igen keskeny indítóimpulzus szükséges, azaz pulzus üzemmódban működő primer ionforrást igényel. A detektálás időfelbontásának rendkívül jónak kell lennie. További problémát okoz az induló ionok energiaszórása.

A TOF SIMS berendezések előnyei: Igen magas tömegtartományok is vizsgálhatók vele, valamint egyidejűleg több tömegvonal anlízise is lehetséges. A kvadrupólos és mágneses tömegspektrométerrel működő SIMS készülékekkel szemben további előnye, hogy a transzmissziója állandónak tartható még a magas tömegtartományokban is. Ezen tulajdonságainak köszönhetően elsősorban szerves vegyületek vizsgálatánál alkalmazható előnyösen.

TOF SIMS mikroanalizátor tipikus paraméterei:

           Primer ion ágyú: részecskék:            nemes gáz, Ga

          energia:                                             10-30 keV

          pulzus időtartam:                              0.4-25 ns

          pulzus frekvencia:                               1-20 kHz

         egy pulzusra jutó ionszám:                   1-10⁴

         nyaláb átmérő:                        100 -500000  nm

         Analizátor:         transzmissziós energia 1-4.5 keV

        tömegfelbontás:                        800-3000 28 ate-nél

                                                           13000 500 ate-nél

        maximális beütésszám:                   10⁴ - 10⁶ cps

        szokásos tömegtartomány:                  20000 ate

A SIMS összefoglalása részletesen a [6.26.,6.27.,6.28., 6.29.] irodalmakban található.

                    TOVÁBB                       VISSZA  A TARTALOMJEGYZÉKHEZ